Абстрактный

Device Electromagnetic Characterization of GaAs MESFET Transistor

Amri Houda, and Zaabat Mourad

In this paper, an electromagnetic study of MESFET transistor based on iterative method is presented. This method is generating the relationship between the incident and reflected waves from the planar circuits. The WCIP method is developed from the fast modal transform algorithm

Индексировано в

Химическая реферативная служба (CAS)
Google Scholar
Открыть J-ворота
Академические ключи
ResearchBible
CiteFactor
Космос ЕСЛИ
Индекс открытых академических журналов (OAJI)
РефСик
Университет Хамдарда
IndianScience.in
научный руководитель
Импакт-фактор Международного инновационного журнала (IIJIF)
Международный институт организованных исследований (I2OR)
Cosmos
Женевский фонд медицинского образования и исследований
Секретные лаборатории поисковых систем

Посмотреть больше