Абстрактный

Modelado y control de la morfología de la superficie de películas delgadas de SiNX mediante el método Monte Carlo cinético

Adil Bouhadiche y Tahar Touam

Este trabajo se centra en el estudio de la formación de cúmulos de silicio amorfo embebidos en películas delgadas de SiNx preparadas mediante la técnica de deposición química en fase de vapor a baja presión a una temperatura de 1023 K utilizando una mezcla de silano (SiH4) y amoniaco (NH3). El proceso de deposición se modela mediante simulación cinética de Monte Carlo en una red triangular. La distribución de las moléculas de amoniaco en la matriz de simulación se describe utilizando nuestro patrón anterior. Este patrón incluye procesos microscópicos de adsorción y migración. Se analizan las influencias de la relación de flujo de gas NH3/SiH4 y el tiempo de deposición en la cinética de deposición. Los resultados obtenidos describen bien las diferentes etapas del proceso de deposición de silicio dopado con nitrógeno. De hecho, un aumento en la relación de flujo de gas conduce a la formación de una alta densidad de cúmulos de silicio amorfo más pequeños. Además, se pueden formar cúmulos más grandes aumentando el tiempo de deposición. Los resultados de la simulación también se comparan con nuestros resultados anteriores para comprender mejor, por un lado, el interés de utilizar disilano en lugar de silano para realizar dichos depósitos y, por otro lado, para evaluar el papel del amoníaco en el proceso de deposición de películas de SiNx.