Абстрактный

Movilidad de los electrones en estado superficial sobre películas de helio líquido en geometría microestructurada.

Mohammed AG Ashari

El presente artículo analiza los estudios de los electrones en estado superficial (SSE) sobre películas de helio líquido en geometría confinada utilizando estructuras de sustrato adecuadas, microfabricadas sobre una oblea de silicio que se asemeja a los transistores de efecto de campo (los llamados FET de helio). La muestra tiene regiones de fuente y drenaje, separadas por una estructura de compuerta, que consta de 2 electrodos de oro con un estrecho espacio (canal) a través del cual tiene lugar el transporte de electrones. Después de desarrollar un nuevo modelo de número de electrones guardados en función de la barrera de compuerta, resulta más fácil estudiar la movilidad de los SSE. Los resultados experimentales muestran una concordancia razonable con la literatura.

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